طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند cmos با شبکه تطبیق lc
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
- author عبدالرضا فدائی
- adviser ماهرخ مقصودی رضا ابراهیمی اتانی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1391
abstract
پیشرفت مخابرات سلولی و فراگیر شدن آن سبب شده است که سازندگان گیرنده های رادیویی سعی در مجتمع سازی محصولات خود و کاهش تعداد المان های خارج تراشه نمایند طوری که بتوانند فرستنده - گیرنده را برروی یک تراشه طراحی کنند . امروزه بسیاری از مدارهای بخش جلوی rf با تکنولوژی cmos پیاده سازی می شوند . گسترش تکنولوژی cmosدر مدارهای مخابراتی به دلیل عملکرد بسیار مناسب آنها در فرکانس های بالا ، ارزان بودن و قابلیت مجتمع سازی آنهاست . سیستم های مخابراتی بی سیم به تقویت کننده های توان پربازده با خطینگی بالا نیاز دارند. از آن جهت مطالعه این نوع تقویت کننده های توان حائز اهمیت است می توان با استفاده از تکنیک های طراحی تقویت کننده توان خطی پر بازدهای طراحی نمود که گستره دینامیکی و بازده توان رادر آن اصلاح کرد. واژه های کلیدی: فرا پهن باند، تقویت کننده کم نویز ،تطبیق امپدانس ،عدد نویز ،
similar resources
یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل
تقویتکننده کمنویز یکی از مهمترین بلوکهای به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب میشود. در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز پهنباند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویتکننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...
full textطراحی تقویت کننده کم نویز باند فوق پهن
هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...
طراحی تقویت کننده کم نویز پهن باند موج میلیمتری
در این پروژه سه تقویت کننده کم نویز موج میلیمتری برای گستره فرکانسی ghz 35-25 طراحی شده است. کلیه تقویت کننده های ارائه شده در این پایان نامه از یک طبقه ورودی سورس مشترک و یک طبقه شبه کسکود تشکیل شده اند تا دستیابی هم زمان به عدد نویز پایین و گین بالا ممکن شود. در این تحقیق، اثر چگالی جریان بر روی طبقات تقویت مختلف بررسی شده و با کاهش چگالی جریان طبقه سورس مشترک ورودی از مقدار بهینه ma/?m 15/0...
15 صفحه اولطراحی تقویت کننده نویز کم پهن باند با تکنیک کاهش و حذف نویز
در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...
طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023